Infineon CY14B101L-SZ35XCT

包装/外壳

DO-214AB-2

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

32-SOIC

Qualification

AEC-Q101

Breakdown Voltage / V

24.4 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

30 kV

Unit Weight

0.008201 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

800

Ipp - Peak Pulse Current

84.4 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

3 kW

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

30 kV

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CY14B101

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

包装

MouseReel

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

终端样式

SMD/SMT

工作电压

22 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

内存大小

1Mbit

访问时间

35 ns

箝位电压

35.5 V

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

产品类别

TVS 二极管

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

组织的记忆

128K x 8