Infineon CY14B116N-BA25XI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

60-LFBGA

供应商器件包装

60-FBGA (10x18)

Suppression Class

X1 / Y2

Capacitance Tolerance

20%

Package

Tray

Base Product Number

CY14B116

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

112

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

RoHS

Details

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

包装

Tray

电容量

0.0033 uF

子类别

Memory & Data Storage

技术

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

电压 - 供电

2.7V ~ 3.6V

引线间距

7.5 mm

内存大小

16Mbit

访问时间

25 ns

内存格式

NVSRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

产品类别

NVRAM

产品类别

NVRAM

组织的记忆

1M x 16