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技术文档
型号
CY62128DV30LL-55SI
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-CY62128DV30LL-55SI
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1MB (128K X 8)- 3.0V Slow Asynch SRAM
起订量
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CY62128DV30LL-55SI详情
技术参数
PDF文档
Infineon CY62128DV30LL-55SI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Tinned Copper Wire - #24AWG
表面安装
YES
终端数量
32
Manufacturer
MOXIE INDUCTOR CORPORATION
RoHS
Y
Package Description
0.450 INCH, SOIC-32
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.43
Part Package Code
SOIC
尺寸/尺寸
4.06mm x 10.80mm
容差
Saturation Current: 110
JESD-609代码
e0
无铅代码
端子表面处理
锡铅
电容量
Inductance - 680uH
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
COMMERCIAL
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.2 V
电压
Rated Current: 180A
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
128KX8
座位高度-最大
2.997 mm
内存宽度
8
等效串联电阻
DCR: 6.4-Ohm
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
宽度
11.303 mm
长度
20.4465 mm
达到SVHC
unknown
技术文档: Infineon CY62128DV30LL-55SI.
CY62128DV30LL-55SI拓展信息
公司资质
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