CY7C1470BV33-200BZI详情
Infineon CY7C1470BV33-200BZI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
表面安装
YES
引脚数
165
供应商器件包装
165-FBGA (15x17)
终端数量
165
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Maximum Clock Rate
200 MHz
Supplier Package
FBGA
Data Rate Architecture
SDR
Typical Operating Supply Voltage
3.3000 V
Minimum Operating Supply Voltage
3.135 V
Timing Type
Synchronous
Number of Words
2 MWords
Number of I/O Lines
36 Bit
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Mounting
表面贴装
Base Product Number
CY7C1470
Memory Types
Volatile
Package Description
15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Number of Words Code
2000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
3 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
CY7C1470BV33-200BZI
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
LBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.75
Part Package Code
BGA
Usage Level
Industrial grade
系列
*
操作温度
-40 to 85 °C
附加功能
流水线结构
技术
SRAM - Synchronous, SDR
电压 - 供电
3.135V ~ 3.6V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
COMMERCIAL
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
72Mbit
端口的数量
4
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
200 MHz
访问时间
3 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
建筑学
Pipelined
组织结构
2MX36
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
36
写入周期时间 - 字符、页面
-
地址总线宽度
21 Bit
密度
72 Mbit
记忆密度
75497472 bit
筛选水平
Industrial
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
ZBT SRAM
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
3.135 V
组织的记忆
2M x 36
宽度
15 mm
长度
17 mm
CY7C1470BV33-200BZI拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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