Infineon CY7C185-20PXC

安装类型

通孔

包装/外壳

28-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

NO

引脚数

28

供应商器件包装

28-PDIP

终端数量

28

Package

Tube

Base Product Number

CY7C185

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

DIP, DIP28,.3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP28,.3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

20 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CY7C185-20PXC

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

赛普拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

8.18

Part Package Code

DIP

操作温度

0°C ~ 70°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

64Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.11 mA

访问时间

20 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.82 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

组织的记忆

8K x 8

宽度

7.62 mm

长度

34.67 mm