CYD02S36V18-200BBXC
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Infineon CYD02S36V18-200BBXC

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型号

CYD02S36V18-200BBXC

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-CYD02S36V18-200BBXC

商品类别

存储器

封装

256-LBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA

起订量

1最小包装量--

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CYD02S36V18-200BBXC
CYD02S36V18-200BBXC Infineon IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA

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CYD02S36V18-200BBXC详情

Infineon CYD02S36V18-200BBXC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    256-LBGA

  • 供应商器件包装

    256-FBGA (17x17)

  • Manufacturer Part Number

    HS35R03007341PS

  • Approvals

    CE

  • Mounting Styles

    Hollowshaft

  • Shaft Type

    Hollow

  • Manufacturer

    Dynapar

  • RoHS

  • Package

    Tray

  • Base Product Number

    CYD02S36

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    Obsolete

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40 to 85 Degrees C

  • 系列

    -

  • 终端

    7 Pin Connector

  • 技术

    SRAM - Dual Port, Synchronous

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.9V

  • 输出电压

    5~26 VDC

  • 输出类型

    Differential

  • 内存大小

    2Mbit

  • 时钟频率

    200 MHz

  • 访问时间

    3.3 ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    -

  • 输入电压

    5~26 VDC

  • 组织的记忆

    64K x 36

  • 轴承

  • 知识产权评级

    IP67

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技术文档: Infineon CYD02S36V18-200BBXC.

CYD02S36V18-200BBXC拓展信息

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