注：图像仅供参考，请参阅产品规格
技术文档
型号
CYD09S36V18-200BBXI
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-CYD09S36V18-200BBXI
商品类别
无类别的
封装
256-LBGA
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
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CYD09S36V18-200BBXI详情
技术参数
PDF文档
Infineon CYD09S36V18-200BBXI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
安装类型
表面贴装
包装/外壳
供应商器件包装
256-FBGA (17x17)
Package
Tray
Base Product Number
CYD09S36
厂商
Infineon Technologies
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
技术
SRAM - Dual Port, Synchronous
电压 - 供电
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
内存大小
9Mbit
时钟频率
200 MHz
访问时间
3.3 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
组织的记忆
256K x 36
技术文档: Infineon CYD09S36V18-200BBXI.
CYD09S36V18-200BBXI拓展信息
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