Infineon CYD18S36V18-200BBAXI

安装类型

底座安装

包装/外壳

256-LBGA

供应商器件包装

256-FBGA (17x17)

Package

Tray

Base Product Number

CYD18S36

厂商

Infineon Technologies

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

FNP

容差

±0.1%

零件状态

活跃

温度系数

±2.5ppm/°C

类型

Shunt, Battery

电阻

8 mOhms

组成

金属箔

应用

--

功率(瓦特)

500W

技术

SRAM - Dual Port, Synchronous

电压 - 供电

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

内存大小

18Mbit

时钟频率

200 MHz

访问时间

3.3 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

-

组织的记忆

512K x 36