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技术文档
型号
D660N12T
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-D660N12T
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
D660N12T datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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D660N12T详情
技术参数
Infineon D660N12T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Voltage, Rating
25 V
Package Style
磁盘按钮
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Max
180 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Eupec Gmbh & Co Kg
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
EUPEC GMBH & CO KG
Forward Voltage-Max (VF)
2.1 V
Risk Rank
5.84
容差
0.1 %
温度系数
25 ppm/°C
电阻
2.55 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
应用
POWER
子类别
研磨二极管
额定功率
63 mW
端子位置
END
终端形式
无铅
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-CEDB-N2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
二极管类型
接收电极
输出电流-最大值
914 A
相位的数量
Rep Pk反向电压-最大值
1200 V
最大非代表Pk前进电流
10250 A
高度
350 µm
D660N12T拓展信息
公司资质
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