DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
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Infineon DDB2U60N12W1RFB11BPSA1

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型号

DDB2U60N12W1RFB11BPSA1

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-DDB2U60N12W1RFB11BPSA1

商品类别

无类别的

封装

Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel

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DDB2U60N12W1RFB11BPSA1详情

Infineon DDB2U60N12W1RFB11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    Module

  • 供应商器件包装

    AG-EASY1B-1

  • Package Type

    AG-EASY1B-1

  • Bridge Type

    单相

  • Vr - Reverse Voltage

    1200 V

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    24

  • Mounting Styles

    底座安装

  • Part # Aliases

    DDB2U60N12W1RF_B11 SP005341796

  • Manufacturer

    Infineon

  • Brand

    Infineon Technologies

  • RoHS

    Details

  • Package

    Tray

  • 厂商

    Infineon Technologies

  • Product Status

    活跃

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -40°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    CoolSiC™

  • 类型

    Rectifier Diode Module

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 技术

    SiC

  • 二极管类型

    单相

  • 反向泄漏电流@ Vr

    174 µA @ 1200 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.85 V @ 60 A

  • 平均整流电流(Io)

    60 A

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 电压 - 峰值反向(最大值)

    1.2 kV

  • 重复峰值反向电压

    1200

  • 产品

    Schottky Diode Modules

  • Vf-正向电压

    1.85 V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

0个相似型号

技术文档: Infineon DDB2U60N12W1RFB11BPSA1.

DDB2U60N12W1RFB11BPSA1拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS