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技术文档
型号
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
商品类别
无类别的
封装
Module
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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DDB2U60N12W1RFB11BPSA1详情
技术参数
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Infineon DDB2U60N12W1RFB11BPSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
底座安装
包装/外壳
供应商器件包装
AG-EASY1B-1
Package Type
Bridge Type
单相
Vr - Reverse Voltage
1200 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
24
Mounting Styles
Part # Aliases
DDB2U60N12W1RF_B11 SP005341796
Manufacturer
Brand
Infineon Technologies
RoHS
Details
Package
Tray
厂商
Product Status
活跃
包装
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
系列
CoolSiC™
类型
Rectifier Diode Module
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
SiC
二极管类型
反向泄漏电流@ Vr
174 µA @ 1200 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.85 V @ 60 A
平均整流电流(Io)
60 A
产品类别
电压 - 峰值反向(最大值)
1.2 kV
重复峰值反向电压
1200
产品
Schottky Diode Modules
Vf-正向电压
1.85 V
技术文档: Infineon DDB2U60N12W1RFB11BPSA1.
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1拓展信息
公司资质
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