Infineon DDB6U100N16RR

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247AC

终端数量

17

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Base Product Number

30CPU04

厂商

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Product Status

Obsolete

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

15A

Manufacturer Part Number

DDB6U100N16RR

Manufacturer

Infineon

RoHS

有

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.75

Part Package Code

MODULE

系列

FRED Pt®

无铅代码

无

终端

17 Pin PC Mount

ECCN 代码

EAR99

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

17

JESD-30代码

R-XUFM-X17

资历状况

不合格

电路

Full Wave Diode Bridge

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 400 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25 V @ 15 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

晶体管应用

电源控制

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

400 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

二极管配置

1 Pair Common Cathode

最大耗散功率(Abs)

350 W

集电极电流-最大值(IC)

50 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

3.2 V

反向恢复时间(trr)

60 ns