GA200HS60S1PBF
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Infineon GA200HS60S1PBF

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型号

GA200HS60S1PBF

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-GA200HS60S1PBF

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 600V 480A 7-Pin INT-A-PAK - Bulk (Alt: VS-GA200HS60S1PBF)

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GA200HS60S1PBF Infineon Trans IGBT Module N-CH 600V 480A 7-Pin INT-A-PAK - Bulk (Alt: VS-GA200HS60S1PBF)

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GA200HS60S1PBF详情

Infineon GA200HS60S1PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks, 1 Day

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    ROHS COMPLIANT, INT-A-PAK-7

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    GA200HS60S1PBF

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Vishay Intertechnologies

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.81

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    830 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    480 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

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GA200HS60S1PBF拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS