HYB18RL25632AC5
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Infineon HYB18RL25632AC5

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型号

HYB18RL25632AC5

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-HYB18RL25632AC5

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

HYB18RL25632AC5 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel

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HYB18RL25632AC5 Infineon

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HYB18RL25632AC5详情

Infineon HYB18RL25632AC5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    144

  • Package

    Tape & Box (TB)

  • 厂商

    Reliance North America

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    TBGA, BGA144,12X18,40/32

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    8000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA144,12X18,40/32

  • Access Time-Max

    30 ns

  • Manufacturer Part Number

    HYB18RL25632AC-5

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    200 MHz

  • Number of Words

    8388608 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    TBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.81

  • Part Package Code

    BGA

  • 系列

    *

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    自动刷新

  • HTS代码

    8542.32.00.24

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1 mm

  • 引脚数量

    144

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B144

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.85 V

  • 电源

    1.8,2.5 V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.75 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 组织结构

    8MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    32

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 顺序突发长度

    2,4

  • 访问模式

    多库页面突发

  • 宽度

    11 mm

  • 长度

    18.5 mm

  • 达到SVHC

    unknown

0个相似型号

HYB18RL25632AC5拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS