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技术文档
型号
HYB18RL25632AC5
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-HYB18RL25632AC5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
HYB18RL25632AC5 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
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HYB18RL25632AC5详情
技术参数
Infineon HYB18RL25632AC5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
144
Package
Tape & Box (TB)
厂商
Reliance North America
Product Status
活跃
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TBGA, BGA144,12X18,40/32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA144,12X18,40/32
Access Time-Max
30 ns
Manufacturer Part Number
HYB18RL25632AC-5
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.81
Part Package Code
BGA
系列
*
ECCN 代码
EAR99
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.85 V
电源
1.8,2.5 V
电源电压-最小值(Vsup)
1.75 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
顺序突发长度
2,4
访问模式
多库页面突发
宽度
11 mm
长度
18.5 mm
达到SVHC
unknown
HYB18RL25632AC5拓展信息
公司资质
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