IFS100B12N3E4P_B11
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Infineon IFS100B12N3E4P_B11

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型号

IFS100B12N3E4P_B11

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IFS100B12N3E4P_B11

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Infineon Transistors

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IFS100B12N3E4P_B11详情

Infineon IFS100B12N3E4P_B11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Manufacturer Part Number

    IFS100B12N3E4P_B11

  • Manufacturer

    Infineon

  • RoHS

    无

  • Pd - Power Dissipation

    515 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.75 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    6

  • Continuous Collector Current at 25 C

    150 A

  • Part # Aliases

    SP001139976 IFS100B12N3E4PB11BPSA1

  • Brand

    Infineon Technologies

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    1200 V

  • Package Description

    ,

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.61

  • 包装

    Tray

  • 类型

    Single

  • 子类别

    IGBTs

  • 配置

    6-Pack

  • 电路型态

    三相电桥

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 产品

    IGBT硅模块

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 高度(毫米)

    20.5 mm

  • 达到SVHC

    compliant

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技术文档: Infineon IFS100B12N3E4P_B11.

IFS100B12N3E4P_B11拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS