注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
IKB01N120H2
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IKB01N120H2
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
IKB01N120H2 datasheet pdf and Unclassified product details from Infineon stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
IKB01N120H2详情
技术参数
PDF文档
Infineon IKB01N120H2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
20.9 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
493 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.84
Part Package Code
D2PAK
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH SPEED
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
220
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大耗散功率(Abs)
28 W
集电极电流-最大值(IC)
3.2 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
3.9 V
技术文档: Infineon IKB01N120H2.
IKB01N120H2拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)