Infineon IPA60R190C6

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

TO-220FP-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO220-3-111

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

15 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.5 V

Pd - Power Dissipation

34 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.068784 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Mounting Styles

通孔

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000621152 IPA6R19C6XK IPA60R190C6XKSA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

63 nC

Id - Continuous Drain Current

20.2 A

Typical Turn-Off Delay Time

110 ns

RoHS

Details

Rds On - Drain-Source Resistance

170 mOhms

Tradename

CoolMOS

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

34W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 630µA

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPA60R190C6

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.39

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

20.2 A

系列

CoolMOS C6

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

无铅代码

有

类型

600 V CoolMOS C6 Power Transistor

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63 nC @ 10 V

上升时间

11 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20.2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

59 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

418 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

34 W

场效应管特性

-

产品类别

MOSFET

宽度

4.85 mm

高度

16.15 mm

长度

10.65 mm

达到SVHC

compliant