Infineon IPB019N06L3GXT

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, No Lead

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Strip

厂商

Skyworks Solutions Inc.

Product Status

活跃

Continuous Drain Current Id

120

Drain Current-Max (ID)

120 A

Risk Rank

5.76

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IPB019N06L3GXT

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

Si570

尺寸/尺寸

0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 供电

3.3V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

125 MHz

频率稳定性

±50ppm

输出量

CMOS

JESD-30代码

R-PSSO-G2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

Crystal

最大电流源

98mA

电流 - 电源（禁用）（最大值）

75mA

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

扩频带宽

-

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

634 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

绝对牵引范围 (APR)

-

座位高度(最大)

0.071 (1.80mm)

达到SVHC

compliant

评级结果

-