Infineon IPB020N08N5

表面安装

YES

引脚数

2 +Tab

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

173(A)

Drain-Source On-Volt

80(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

D2PAK

Operating Temp Range

-55C to 175C

Gate-Source Voltage (Max)

20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

表面贴装

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB020N08N5

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

2.3

Drain Current-Max (ID)

120 A

包装

卷带

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300(W)

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.002 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

674 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

compliant