Infineon IPB020N10N5

包装/外壳

TO-263-3

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Typical Turn-On Delay Time

33 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.2 V

Pd - Power Dissipation

375 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.139332 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

124 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP001132558 IPB020N10N5ATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

210 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

1.7 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

77 ns

Id - Continuous Drain Current

120 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB020N10N5

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

2.24

Drain Current-Max (ID)

120 A

系列

*

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

26 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.002 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

979 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

MOSFET

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

长度

10 mm

达到SVHC

not_compliant