Infineon IPB051NE8NG

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Drain Current-Max (ID)

100 A

Part Package Code

D2PAK

Risk Rank

5.38

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

IPB051NE8NG

Rohs Code

有

Reflow Temperature-Max (s)

40

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™2

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.1mOhm @ 100A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12100 pF @ 40 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

85 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0051 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

85 V

雪崩能量等级（Eas）

826 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown