IPB067N08N3GXT详情
Infineon IPB067N08N3GXT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Continuous Drain Current Id
80
Drain Current-Max (ID)
80 A
Risk Rank
5.69
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
IPB067N08N3GXT
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
175 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
小概要
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0067 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
80 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IPB067N08N3GXT拓展信息
Infineon Technologies
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