Infineon IPB093N04LG

底架

Surface Mount, Through Hole

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO-263-3-2

Continuous Drain Current Id

50

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

19 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 77µA

Product Status

活跃

Power Dissipation (Max)

47W (Tc)

厂商

Infineon Technologies

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Package

Bulk

系列

OptiMOS™ 3

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

36 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

47 W

接通延迟时间

4.7 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3mOhm @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2100 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28 nC @ 10 V

上升时间

2.8 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

50 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

40 V

输入电容

1.6 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

9.3 mΩ

最大rds

23 mΩ

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无