Infineon IPB100N10S305XT
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IPB100N10S305XT详情
Infineon IPB100N10S305XT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
14 Weeks
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Continuous Drain Current Id
100
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
60 ns
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
IPB100N10S305XT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
100 A
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300 W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
34 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
100 A
JEDEC-95代码
TO-263AB
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.0048 Ω
漏源击穿电压
100 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
信道型
N
雪崩能量等级(Eas)
1445 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大结点温度(Tj)
175 °C
漏源电阻
4 mΩ
高度
4.7 mm
达到SVHC
compliant
IPB100N10S305XT拓展信息
Infineon Technologies
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