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IPB100P03P3L-04

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Infineon IPB100P03P3L-04

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对比

型号

IPB100P03P3L-04

品牌

utmel 编号

1211-IPB100P03P3L-04

商品类别

无类别的

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB100P03P3L-04

IPB100P03P3L-04 Infineon Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB100P03P3L-04详情

技术参数

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Infineon IPB100P03P3L-04重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

PG-TO263-3-2
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

200W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

OptiMOS™-P
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 475µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9300 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

+5V, -16V
场效应管特性

-

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