Infineon IPB100P03P3L-04

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™-P

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 475µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9300 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

+5V, -16V

场效应管特性

-