Infineon IPB160N08S4-03

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

80 V

Typical Turn-On Delay Time

18 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2 V

Qualification

AEC-Q101

Pd - Power Dissipation

208 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.056438 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000989092 IPB160N08S403ATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

112 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

2.6 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

30 ns

Id - Continuous Drain Current

160 A

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB160N08S4-03

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.64

Drain Current-Max (ID)

160 A

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT1602B

包装

MouseReel

尺寸/尺寸

0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

类型

XO (Standard)

子类别

MOSFETs

技术

Si

电压 - 供电

2.25V ~ 3.63V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

3.57 MHz

频率稳定性

±20ppm

输出量

HCMOS, LVCMOS

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G6

功能

-

基本谐振器

MEMS

最大电流源

4.5mA

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

扩频带宽

-

上升时间

11 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-263

漏极-源极导通最大电阻

0.0032 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

640 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

绝对牵引范围 (APR)

-

产品类别

MOSFET

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

长度

10 mm

达到SVHC

compliant

评级结果

-