Infineon IPB45N04S4L-08

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

Turn Off Delay Time

11 ns

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

45A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

45W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 17µA

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

OptiMOS™T2

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

45 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

45 W

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.9mOhm @ 45A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2340 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30 nC @ 10 V

上升时间

8 ns

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

+20V, -16V

连续放电电流(ID)

45 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

40 V

漏源击穿电压

40 V

输入电容

2.34 nF

场效应管特性

-

漏源电阻

7.6 mΩ

最大rds

7.6 mΩ

长度

10 mm

高度

4.4 mm

宽度

9.25 mm