Infineon IPB47N10S-33

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

TO-263-3

表面安装

YES

引脚数

3

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

175W

Turn Off Delay Time

63 ns

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

雪崩 额定

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

175W

接通延迟时间

25 ns

无卤素

无卤素

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

100V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

47A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

188A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大rds

33 mΩ

电容-输入

2.5nF

RoHS状态

符合RoHS标准