Infineon IPB60R250CP

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

Continuous Drain Current Id

12

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

110 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

104W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

104 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

元素配置

Single

功率耗散

104

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

250mOhm @ 7.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 520µA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35 nC @ 10 V

上升时间

17 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

双电源电压

650 V

输入电容

1.2 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

250 mΩ

最大rds

250 mΩ

栅源电压

3 V

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

长度

10.31 mm

达到SVHC

无SVHC