Infineon IPB60R520CP

包装/外壳

TO-263-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO263-3-2

Continuous Drain Current Id

6.8

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

74 ns

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Typical Turn-On Delay Time

17 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.5 V

Pd - Power Dissipation

66 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.139332 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000405868 IPB60R520CPATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

24 nC

Tradename

CoolMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

520 mOhms

Typical Turn-Off Delay Time

74 ns

Id - Continuous Drain Current

6.8 A

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

66W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Digi-Reel®

系列

CoolMOS CE

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

MOSFETs

最大功率耗散

95 W

技术

Si

配置

Single

通道数量

1 Channel

元素配置

Single

功率耗散

66 W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

520mOhm @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250µA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V

上升时间

12 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

连续放电电流(ID)

6.8 A

阈值电压

3 V

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏源击穿电压

600 V

双电源电压

650 V

输入电容

1.12 nF

信道型

N

场效应管特性

-

漏源电阻

520 mΩ

最大rds

200 mΩ

栅源电压

3 V

产品类别

MOSFET

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

长度

10 mm

达到SVHC

无SVHC