Infineon IPB65R280C6

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

包装数量

1000

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

105 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB65R280C6

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.71

Part Package Code

D2PAK

包装

Tape & Reel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

104 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

104 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

上升时间

11 ns

漏源电压 (Vdss)

650 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

13.8 A

JEDEC-95代码

TO-263AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

650 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13.8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.28 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

39 A

输入电容

950 pF

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

104 W

最大rds

280 mΩ

通态电阻

280 mΩ

无铅

含铅