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Infineon IPB65R600C6

Name: IPB65R600C6
Brand: Infineon
SKU: 1211-IPB65R600C6
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB65R600C6

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IPB65R600C6

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB65R600C6 Infineon Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB65R600C6详情

技术参数

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Infineon IPB65R600C6重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

PG-TO263-3-2
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

63W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

CoolMOS™
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 210µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

440 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

650 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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