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Infineon IPB65R660CFDAXT

Name: IPB65R660CFDAXT
Brand: Infineon
SKU: 1211-IPB65R660CFDAXT
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPB65R660CFDAXT

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IPB65R660CFDAXT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2

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IPB65R660CFDAXT Infineon Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2

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IPB65R660CFDAXT详情

技术参数

Infineon IPB65R660CFDAXT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Continuous Drain Current Id

6
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

IPB65R660CFDAXT
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Infineon Technologies AG
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank

5.69
Drain Current-Max (ID)

6 A
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
参考标准

AEC-Q101
JESD-30代码

R-PSSO-G2
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻

0.66 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

17 A
DS 击穿电压-最小值

650 V
信道型

N
雪崩能量等级（Eas）

115 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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