Infineon IPB80N06S205XT

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IPB80N06S205XT

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.61

Drain Current-Max (ID)

80 A

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

810 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

compliant