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IPB80N06S2H5AUMA1

IPB80N06S2H5AUMA1

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Infineon IPB80N06S2H5AUMA1

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对比

型号

IPB80N06S2H5AUMA1

品牌

utmel 编号

1211-IPB80N06S2H5AUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB80N06S2H5AUMA1

IPB80N06S2H5AUMA1 Infineon Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB80N06S2H5AUMA1详情

技术参数

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Infineon IPB80N06S2H5AUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

3
Package

Tape & Reel (TR)
Base Product Number

IPB80
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

-
厂商

Infineon Technologies
Product Status

活跃
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

48 ns
系列

-
包装

Tape & Reel
最高工作温度

175 °C
最小工作温度

-55 °C
接通延迟时间

23 ns
上升时间

23 ns
连续放电电流(ID)

80 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
辐射硬化

无

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