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技术文档
型号
IPB80N06S2L-05
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IPB80N06S2L-05
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 OptiMOS
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IPB80N06S2L-05详情
技术参数
PDF文档
Infineon IPB80N06S2L-05重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.58
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
80 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.0057 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
800 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
300 W
达到SVHC
not_compliant
技术文档: Infineon IPB80N06S2L-05.
IPB80N06S2L-05拓展信息
公司资质
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