Infineon IPD30N03S2L-07

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Other Names

768-143-10 FXO-HC730-143 FXO-HC730-143-ND

Turn Off Delay Time

40 ns

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD30N03S2L-07

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.63

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

XPRESSO™ FXO-HC73

包装

Strip

尺寸/尺寸

0.295 L x 0.205 W (7.50mm x 5.20mm)

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

136 W

电压 - 供电

3.3V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

频率

143MHz

频率稳定性

±100ppm

输出量

HCMOS

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

Crystal

最大电流源

55mA

资历状况

不合格

电流 - 电源（禁用）（最大值）

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

JEDEC-95代码

TO-252

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0098 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

输入电容

1.9 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

136 W

最大rds

6.7 mΩ

座位高度(最大)

0.055 (1.40mm)

评级结果

-