Infineon IPD30N06S3-24

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

供应商器件包装

PG-TO252-3-11

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

-

Package Description

GREEN, TO-252, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

IPD30N06S3-24

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.26

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-

系列

OptiMOS-T

端子表面处理

哑光锡

附加功能

超低电阻

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

漏极-源极导通最大电阻

0.024 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown