Infineon IPD50N06S3-09

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD50N06S3-09

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

7.83

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

50 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

107 W

达到SVHC

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