Infineon IPD50N06S3-15

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

24 ns

Package Description

GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD50N06S3-15

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.26

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

50 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

65 W

箱体转运

DRAIN

上升时间

59 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

50 A

JEDEC-95代码

TO-252

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.015 Ω

漏源击穿电压

55 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

130 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

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