Infineon IPD50R800CE

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO252-3-344

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD50R800CE

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.33

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

端子表面处理

Tin (Sn)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

800mOhm @ 1.5A, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 130µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

280 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.4 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15.5 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

83 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-