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技术文档
型号
IPD60R170CFD7
品牌
Infineon
utmel 编号
1211-IPD60R170CFD7
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 9A, 76W, PG-TO252-3
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IPD60R170CFD7详情
技术参数
Infineon IPD60R170CFD7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
2.29
附加功能
高可靠性
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
14 A
漏极-源极导通最大电阻
0.17 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
51 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
60 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
76 W
IPD60R170CFD7拓展信息
公司资质
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