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Infineon IPD60R520CP

Name: IPD60R520CP
Brand: Infineon
SKU: 1211-IPD60R520CP
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD60R520CP

品牌

Infineon

utmel 编号

1211-IPD60R520CP

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN

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IPD60R520CP Infineon Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN

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IPD60R520CP详情

技术参数

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Infineon IPD60R520CP重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数

3
供应商器件包装

PG-TO252-3-313
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

74 ns
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)

66W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

OptiMOS™
终端

SMD/SMT
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

190 W
技术

MOSFET (Metal Oxide)
元素配置

Single
功率耗散

66 W
接通延迟时间

17 ns
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

520mOhm @ 3.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

630 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 10 V
上升时间

12 ns
漏源电压 (Vdss)

600 V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

6.8 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

600 V
双电源电压

650 V
输入电容

2.36 nF
场效应管特性

-
漏源电阻

520 mΩ
最大rds

9.1 mΩ
栅源电压

3 V
达到SVHC

无SVHC

0个相似型号

IPD60R520CP拓展信息

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