Infineon IPD60R600CP

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

PG-TO252-3-313

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

6.1

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

75 ns

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Infineon Technologies

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD60R600CP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.58

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

6.1 A

包装

切割胶带

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

150 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60 W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 3.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 220µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

550 pF @ 100 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27 nC @ 10 V

上升时间

12 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6.1 A

阈值电压

3 V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.1 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15 A

双电源电压

650 V

输入电容

13 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

144 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

60 W

场效应管特性

-

漏源电阻

600 mΩ

最大rds

3.4 mΩ

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC