IPD65R250E6详情
Infineon IPD65R250E6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
PG-TO252
材料
PC
RoHS
有
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Infineon Technologies
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Product Status
活跃
系列
1554
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
注意
Watertight, Clear Lid
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
250mOhm @ 4.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 400µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950 pF @ 100 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
650 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
外壳类型
Multipurpose
知识产权评级
IP66
IPD65R250E6拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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