Infineon IPD90N06S3-06

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

45 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD90N06S3-06

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.64

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

90 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

超低电阻

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

136 W

箱体转运

DRAIN

上升时间

60 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

90 A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

90 A

漏极-源极导通最大电阻

0.006 Ω

漏源击穿电压

55 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

360 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

136 W