Infineon IPI50CN10NG
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IPI50CN10NG详情
Infineon IPI50CN10NG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
20 A
Part Package Code
TO-262AA
Risk Rank
5.82
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Number of Elements
1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
IPI50CN10NG
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
175 °C
Reflow Temperature-Max (s)
40
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
IN-LINE
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
29 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
44 W
达到SVHC
compliant
IPI50CN10NG拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies








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