Infineon IPI50R199CP

包装/外壳

TO-262-3

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Id - Continuous Drain Current

17 A

Typical Turn-Off Delay Time

80 nS

RoHS

Details

Rds On - Drain-Source Resistance

199 mOhms

Tradename

CoolMOS

Qg - Gate Charge

34 nC

Brand

Infineon Technologies

Manufacturer

Infineon

Part # Aliases

SP000523756 IPI5R199CPXK IPI50R199CPXKSA1

Channel Mode

Enhancement

Mounting Styles

通孔

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

500

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Unit Weight

0.084199 oz

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Transistor Polarity

N-Channel

Pd - Power Dissipation

139 W

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3.5 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

550 V

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI50R199CP

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.62

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

17 A

包装

Tube

系列

CoolMOS CE

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

14 nS

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17 A

漏极-源极导通最大电阻

0.199 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

436 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

139 W

产品类别

MOSFET

长度

10.2 mm

高度

9.45 mm

宽度

4.5 mm

达到SVHC

compliant